CKD Technologia non solum novas machinas in genere, statim praesto est.
Nos quoque negotia accurata locamus, parati ad serviendum vestrae productionis exigentiis, dum signanter initialem obsidionem demittimus. Contact us pro magis details.
CKD turmas fabrum professionalium habet, promptos ad tradendas operas clavis vicissim.
Ad mercaturam machinarum adhibitarum, pete nobis per whatspp vel email.
-------------------------------------------------------------------------------------
MyL10 systema plasma altum throughput superficiem curationis ad tabulas plumbeas attingit.
• Atmosphaerico-pressio argonis plasma systematis
• 100mm massae plasmatis processus inlinei-latis; offert 2-5 temporibus superiorem efficientiam et super 30% inferiores sumptus operandi comparatur ad methodos traditionales; maxime throughput de 1.800 UPH
• Summus throughput, productio valde flexibilis: processus plumbi capax variarum magnitudinum variarum, inclusarum processui simultaneorum diversarum magnitudinum.
• 100% plasma neutrum: tutum et lene in componentibus electronicis sensitivis; nullum plasma bombardarum, electricitatis statice, scintillas, arcus, pulvis, calorem altum, undarum superficies, vel radiorum UV, nullum detrimentum productum praebet.
• Multiplices processus chemici: O2 processus contaminantium organicum removet; H2 processus tollit oxydatum metallum et actuat productum superficiebus
• Nulla particula aut liquida contagione generatae in producto
| Basic Parameters | MYL10 |
| Potentia Requirements | AC 200~ 240V, 5kW, 23A, 50/60Hz |
| Air Pressure Requirements | 90psi (6bar) |
| Dimensiones | 1500 x 2100 x 2100mm |
| Pondus | 2500 kg |
| Certification signa | CE, SEMI S2 |
| Positioning Cura | XY: ±20 µm @3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| XYZ-Axis Repeatability | XY: ±15 µm @3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Maximum Volo | 1000 mm/s (XY) |
| Acceleratio | 1.0 g * |
| Coegi Ratio | AC servo |
| Parametri opus Platform | |
| Rail Type | Rail |
| Numerus Rails | 4 |
| Product Crassitudo dolor | 0.1-1 mm |
| Z-Axis Travel | 100 mm |
| Maximilianus. Throughput (UPH) | 1800 |
| Communication Protocol | SMEMA |
| opus dolor | |
| Plasma Curatio Area (W×D) | 300-1320 mm |
| Plasma curatio methodo | C2 processum ad tollendum organicum contaminantium H2 processum ad suscipiendum metallum oxydatum |
| Plasma ratio requisita | |
| RF potentia | 600 W apud 27.12 MHz |
| Gas principalis plasma | Argon |
| Processus gas | O2, N2, vel H2 |
| Gas copia pressura range | 40-100 psi (0.3-0.7 MPa) |
Oratio
5th Solum, Aedificium 2, No. CLXXXII, Chang'an Xi'an via, Chang'an Oppidum, Dongguan, Guangdong Provincia, Sinis.
Tel
