CKD Technologia non solum novas machinas in genere, statim praesto est.
Nos quoque negotia accurata locamus, parati ad serviendum vestrae productionis exigentiis, dum signanter initialem obsidionem demittimus. Contact us pro magis details.
CKD turmas fabrum professionalium habet, promptos ad tradendas operas clavis vicissim.
Ad mercaturam machinarum adhibitarum, pete nobis per whatspp vel email.
-------------------------------------------------------------------------------------
MYS10iL series plene automata est, systematis processus plasmatis in-linea enucleata pro applicationibus per varias regiones, inter semiconductores, electronicas, SMT, optoelectronicas, et technologiae medicae.
• Atmosphaerico-pressio argonis plasma systematis
• 100mm massae plasmatis processus inlinei-latis; offert 2-5 temporibus altiorem efficientiam et super XXX% inferiores pretia laboris ad traditional modos
• 100% plasma neutrum; incolumem ac levem in membra electronic sensitiva; non plasma bombardarum, electricitatis statice, scintillae, arcus, pulvis, summae temperaturae, undarum superficies, vel radiatio UV
• processus chemici versatiles: O2 processus ad contaminantium tollendos organicos; H2 processum ad removendum oxydatum metallum et activum productum superficierum
• nulla particulata aut liquida contagione in productum
| Basic Parameters | MYS10iL |
| Potentia Requirements | AC 200~240V, 4.5kW, 20A, 50/60Hz |
| Air Pressure Requirements | 90psi (6bar) |
| Dimensiones | 1000 x 1500 x 1550mm |
| Pondus | 1050kg |
| Certification | CE |
| Positioning Cura | XY: ±50µm @3σ; Z: ±10µm @ 3σ |
| XYZ-Axis Repeatability | XY: ±25µm @3σ; Z: ±5µm @ 3σ |
| Maximum Volo | 1000mm/s (XY) |
| Acceleratio | 1.0g |
| Coegi Ratio | AC servo |
| Parametri opus Platform | |
| TRADUCTOR Type | Cingulum |
| TRADUCTOR Lond capacitatem | 3kg |
| PCB Crassitudo dolor (sine carrier) | 0.5-6mm |
| Z-Axis Travel | 60mm |
| Maximilianus. Altitudo pars (Top Parte) | 45mm |
| Maximilianus. Altitudo pars (imo Parte) | 23mm |
| Communication Protocol | SMEMA |
| opus dolor | |
| Plasma Curatio Area (W×D) | 550-760mm |
| Aqua Contact Angulus (WCA) post plasma curatio | WCA < 10° (laganum Pii) WCA <20° (materiae Non-metallicae) |
| Plasma curatio methodo | C2 processus organicum contaminant remotionem H2 processum ad metallum oxydatum remotionem |
| Plasma ratio apparatu opus | |
| RF potentia | 600W apud 27.12MHz |
| Gas principalis plasma | Argon |
| Processus gas | O2, N2, vel H2 |
| Gas copia pressura range | 40-100 psi (0.3-0.7 MPa) |
Oratio
5th Solum, Aedificium 2, No. CLXXXII, Chang'an Xi'an via, Chang'an Oppidum, Dongguan, Guangdong Provincia, Sinis.
Tel
